창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RS1E320GNTB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RS1E320GN | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 32A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42.8nC @ 10V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2850pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-HSOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RS1E320GNTBTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RS1E320GNTB | |
관련 링크 | RS1E32, RS1E320GNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | LP081F23CET | 8.192MHz ±20ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP081F23CET.pdf | |
![]() | TNPW0402187RBEED | RES SMD 187 OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW0402187RBEED.pdf | |
![]() | 1200-0020-05 | 1200-0020-05 AHL SMD or Through Hole | 1200-0020-05.pdf | |
![]() | TCN-P61A | TCN-P61A ORIGINAL SMD or Through Hole | TCN-P61A.pdf | |
![]() | ASTAR-6603A | ASTAR-6603A ORIGINAL DIP | ASTAR-6603A.pdf | |
![]() | TDA8843 S1 | TDA8843 S1 PHILIPS DIP56 | TDA8843 S1.pdf | |
![]() | BFY85 | BFY85 PHILIPS CAN | BFY85.pdf | |
![]() | EKMR351VSN331MP40S | EKMR351VSN331MP40S NIPPONCHEMI-COM DIP | EKMR351VSN331MP40S.pdf | |
![]() | SI3493DV-T1-E3. | SI3493DV-T1-E3. Siliconix SMD or Through Hole | SI3493DV-T1-E3..pdf |