홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » RS1E320GNTB

Rohm Semiconductor RS1E320GNTB

RS1E320GNTB
제조업체 부품 번호
RS1E320GNTB
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
RS1E320GNTB 가격 및 조달

가능 수량

11050 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 600.46272
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RS1E320GNTB 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. RS1E320GNTB 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RS1E320GNTB가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RS1E320GNTB 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RS1E320GNTB 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RS1E320GNTB
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RS1E320GN
제품 교육 모듈MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C32A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.9m옴 @ 32A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs42.8nC @ 10V
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2850pF @ 15V
전력 - 최대3W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-HSOP
표준 포장 2,500
다른 이름RS1E320GNTBTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RS1E320GNTB
관련 링크RS1E32, RS1E320GNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
RS1E320GNTB 의 관련 제품
220pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) CL31C221JGFNNNE.pdf
DIODE ZENER 10V 500MW DO219AC PLZ10C-G3/H.pdf
HZ5A3-N-E-Q HITACHI DO-35 HZ5A3-N-E-Q.pdf
AD1582ARJZ ADI SOT23 AD1582ARJZ.pdf
GO1525CTAE3 GENNUM SMD or Through Hole GO1525CTAE3.pdf
UCC2817PWG4 TI SMD or Through Hole UCC2817PWG4.pdf
520C741T400EB2B CDE DIP 520C741T400EB2B.pdf
BYX61-600R PHILIPS DO-4 BYX61-600R.pdf
SC409 SI DIP SC409.pdf
2SA870 NEC CAN 2SA870.pdf