홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » RS1E240BNTB

Rohm Semiconductor RS1E240BNTB

RS1E240BNTB
제조업체 부품 번호
RS1E240BNTB
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
RS1E240BNTB 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 194.22374
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RS1E240BNTB 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. RS1E240BNTB 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RS1E240BNTB가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RS1E240BNTB 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RS1E240BNTB 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RS1E240BNTB
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RS1E240BN
제품 교육 모듈MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C24A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.2m옴 @ 24A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs70nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3900pF @ 15V
전력 - 최대3W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-HSOP
표준 포장 2,500
다른 이름RS1E240BNTBTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RS1E240BNTB
관련 링크RS1E24, RS1E240BNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
RS1E240BNTB 의 관련 제품
330pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) CC0201KRX7R7BB331.pdf
RES 110K OHM 2W 5% AXIAL ON1145E-R58.pdf
RF TXRX MODULE ISM>1GHZ SMA ANT RFD21735.pdf
Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder P51-500-A-E-D-4.5OVP-000-000.pdf
ST5161 ORIGINAL SOP ST5161.pdf
SLZ-235B-02-AB-T1 SANYO SMD or Through Hole SLZ-235B-02-AB-T1.pdf
SGA-1486 SIRENZA SMD or Through Hole SGA-1486.pdf
HD74HC1G14CM RENESAS SOT353 HD74HC1G14CM.pdf
40.61.9.024.0300 FINDER SMD or Through Hole 40.61.9.024.0300.pdf
S22B-PHDSS(LF)(SN) JST SMD or Through Hole S22B-PHDSS(LF)(SN).pdf