창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RS1E240BNTB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RS1E240BN | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 24A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RS1E240BNTBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RS1E240BNTB | |
| 관련 링크 | RS1E24, RS1E240BNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | NKN1WSJR-52-1R5 | RES 1.5 OHM 1W 5% AXIAL | NKN1WSJR-52-1R5.pdf | |
![]() | Y60781K06204V0L | RES 1.06204K OHM 0.3W 0.005% RAD | Y60781K06204V0L.pdf | |
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![]() | LT1375CN8 | LT1375CN8 LTNEAR DIP8 | LT1375CN8.pdf | |
![]() | TDA8380AN | TDA8380AN PHILIPS DIP16 | TDA8380AN.pdf | |
![]() | EP10K50SBC356-1 | EP10K50SBC356-1 ALTERA BGA | EP10K50SBC356-1.pdf | |
![]() | NM27C020T200 | NM27C020T200 NSC Call | NM27C020T200.pdf | |
![]() | 1367035-1 | 1367035-1 AMP NA | 1367035-1.pdf | |
![]() | SCDS127T-630M-N | SCDS127T-630M-N CHILISIN SMD or Through Hole | SCDS127T-630M-N.pdf | |
![]() | K4S563233F-HN | K4S563233F-HN SAM BGA | K4S563233F-HN.pdf | |
![]() | IX0689 | IX0689 STK ZIP | IX0689.pdf | |
![]() | EP2C35F672C6ES | EP2C35F672C6ES Altera SMD or Through Hole | EP2C35F672C6ES.pdf |