창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RS1E200BNTB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RS1E200BN | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-HSOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RS1E200BNTBTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RS1E200BNTB | |
관련 링크 | RS1E20, RS1E200BNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D1R6CXXAC | 1.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R6CXXAC.pdf | |
![]() | 16VT175ELU | PTC RESETTABLE 16V 1.75A STRAP | 16VT175ELU.pdf | |
![]() | ASTMHTD-32.000MHZ-ZR-E | 32MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-32.000MHZ-ZR-E.pdf | |
![]() | RT1206FRD0759RL | RES SMD 59 OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD0759RL.pdf | |
![]() | RMCF2010JT1M20 | RES SMD 1.2M OHM 5% 3/4W 2010 | RMCF2010JT1M20.pdf | |
![]() | NHQM202B410T10 | NTC Thermistor 2k 0805 (2012 Metric) | NHQM202B410T10.pdf | |
![]() | TB1326G | TB1326G TOS SOP | TB1326G.pdf | |
![]() | 195D686X96R3Z2T | 195D686X96R3Z2T Vishay SMD | 195D686X96R3Z2T.pdf | |
![]() | UDZ12B TE-17 | UDZ12B TE-17 ROHM SOD323 | UDZ12B TE-17.pdf | |
![]() | 3216TD5-R 5A | 3216TD5-R 5A BUSSMANN SMD | 3216TD5-R 5A.pdf | |
![]() | AXK6F70345YG | AXK6F70345YG NAIS SMD or Through Hole | AXK6F70345YG.pdf | |
![]() | CC0201CPNPO9BN2R2 | CC0201CPNPO9BN2R2 YAGEO SMD | CC0201CPNPO9BN2R2.pdf |