창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RS1E170GNTB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RS1E170GN | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 720pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-HSOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RS1E170GNTBTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RS1E170GNTB | |
관련 링크 | RS1E17, RS1E170GNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 416F400XXCSR | 40MHz ±15ppm 수정 시리즈 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F400XXCSR.pdf | |
![]() | TNPW06033K00BEEN | RES SMD 3K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06033K00BEEN.pdf | |
![]() | 6810G1-BK | 6810G1-BK ANDERSON SMD or Through Hole | 6810G1-BK.pdf | |
![]() | TCMMSZ5231B 5V1 | TCMMSZ5231B 5V1 ORIGINAL SOD-1231206 | TCMMSZ5231B 5V1.pdf | |
![]() | HD49343HN | HD49343HN Renesas SMD or Through Hole | HD49343HN.pdf | |
![]() | FS50B-G1 | FS50B-G1 FEELING SIP3 | FS50B-G1.pdf | |
![]() | 6.3CE47AX | 6.3CE47AX Sanyo N A | 6.3CE47AX.pdf | |
![]() | HFW29S-2STE1 | HFW29S-2STE1 FCI SMD or Through Hole | HFW29S-2STE1.pdf | |
![]() | PM-2MC | PM-2MC PIXEL QFP | PM-2MC.pdf | |
![]() | BCM53115SKFBG_P30 | BCM53115SKFBG_P30 BROADCOM SMD or Through Hole | BCM53115SKFBG_P30.pdf |