홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » RS1E170GNTB

Rohm Semiconductor RS1E170GNTB

RS1E170GNTB
제조업체 부품 번호
RS1E170GNTB
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
RS1E170GNTB 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 185.32800
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RS1E170GNTB 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. RS1E170GNTB 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RS1E170GNTB가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RS1E170GNTB 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RS1E170GNTB 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RS1E170GNTB
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RS1E170GN
제품 교육 모듈MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C17A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6.7m옴 @ 17A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs12nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds720pF @ 15V
전력 - 최대3W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-HSOP
표준 포장 2,500
다른 이름RS1E170GNTBTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RS1E170GNTB
관련 링크RS1E17, RS1E170GNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
RS1E170GNTB 의 관련 제품
5.6pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.062" L x 0.032" W(1.57mm x 0.81mm) 251R14S5R6DV4T.pdf
TPSC336K010S0375 AVX SMD or Through Hole TPSC336K010S0375.pdf
F1205XT-1W MICRODC SMD12 F1205XT-1W.pdf
TMCMP0J225MTR(6.3V/2.2UF/P) ORIGINAL P TMCMP0J225MTR(6.3V/2.2UF/P).pdf
LT1785IS8. LT SOP LT1785IS8..pdf
KM62256BLETG-10 Samsung TSOP28 KM62256BLETG-10.pdf
3701125043 WICKMANN SMD or Through Hole 3701125043.pdf
63V22UF（8*2） ORIGINAL SMD or Through Hole 63V22UF（8*2）.pdf
DM6188F DAVICOM QFP-128 DM6188F.pdf
FPC-96212-3201 Yamaichi SMD or Through Hole FPC-96212-3201.pdf
FQA140N10=====FSC FSC TO-3P FQA140N10=====FSC.pdf