Rohm Semiconductor RRS100P03TB1

RRS100P03TB1
제조업체 부품 번호
RRS100P03TB1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
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내부 부품 번호EIS-RRS100P03TB1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
표준 포장 2,500
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황새 설계에 권장하지 않음(NRND)
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs-
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대-
작동 온도-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC
공급 장치 패키지8-SOIC
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RRS100P03TB1
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