창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RQ6E035ATTCR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RQ6E035AT | |
PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 475pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | TSMT6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RQ6E035ATTCRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RQ6E035ATTCR | |
관련 링크 | RQ6E035, RQ6E035ATTCR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D680MXBAC | 68pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D680MXBAC.pdf | |
![]() | B39841-B9425-M410-S05 | B39841-B9425-M410-S05 EPCOS NA | B39841-B9425-M410-S05.pdf | |
![]() | BD6059EKN-E2 | BD6059EKN-E2 ROHM QFN | BD6059EKN-E2.pdf | |
![]() | TCTAL0J107M8R-E1 | TCTAL0J107M8R-E1 ROHM A | TCTAL0J107M8R-E1.pdf | |
![]() | CT8016A11ATC | CT8016A11ATC ORIGINAL QFP | CT8016A11ATC.pdf | |
![]() | F0305M-1W | F0305M-1W MORNSUN SMD or Through Hole | F0305M-1W.pdf | |
![]() | PC367N1J000F | PC367N1J000F SHARP SMD | PC367N1J000F.pdf | |
![]() | MUR220RLG-ON | MUR220RLG-ON ORIGINAL SMD or Through Hole | MUR220RLG-ON.pdf | |
![]() | YA869C10R | YA869C10R FUJI TO220AB | YA869C10R.pdf | |
![]() | A3C-44P-2DSA | A3C-44P-2DSA HRS SMD or Through Hole | A3C-44P-2DSA.pdf | |
![]() | DSS306-92F223Z16 | DSS306-92F223Z16 MURATA SMD or Through Hole | DSS306-92F223Z16.pdf | |
![]() | GR442QR7LB152KW01L | GR442QR7LB152KW01L MURATA SMD | GR442QR7LB152KW01L.pdf |