창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RQ3E080GNTB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RQ3E080GN | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.7m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 295pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-HSMT(3.2x3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RQ3E080GNTBTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RQ3E080GNTB | |
관련 링크 | RQ3E08, RQ3E080GNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CM309E24000000AFIT | 24MHz ±30ppm 수정 16pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E24000000AFIT.pdf | |
![]() | TA-8.000MDE-T | 8MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TA-8.000MDE-T.pdf | |
![]() | RCL12186K20JNEK | RES SMD 6.2K OHM 1W 1812 WIDE | RCL12186K20JNEK.pdf | |
![]() | AT0805CRD0784K5L | RES SMD 84.5KOHM 0.25% 1/8W 0805 | AT0805CRD0784K5L.pdf | |
![]() | CRCW060316R5FKEB | RES SMD 16.5 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060316R5FKEB.pdf | |
![]() | CRCW120671R5FKEC | RES SMD 71.5 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW120671R5FKEC.pdf | |
![]() | CF18JT3K90 | RES 3.9K OHM 1/8W 5% CARBON FILM | CF18JT3K90.pdf | |
![]() | TOP248 | TOP248 POWER SMD or Through Hole | TOP248.pdf | |
![]() | 1097G | 1097G AT&T MQFP | 1097G.pdf | |
![]() | T1067 | T1067 PUISE SMD or Through Hole | T1067.pdf | |
![]() | D10100360K1%10 | D10100360K1%10 DRALORIC SMD or Through Hole | D10100360K1%10.pdf | |
![]() | PS3N | PS3N ORIGINAL SMD or Through Hole | PS3N.pdf |