창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RQ3E080BNTB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RQ3E080BN | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.2m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSMT(3.2x3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RQ3E080BNTBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RQ3E080BNTB | |
| 관련 링크 | RQ3E08, RQ3E080BNTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LP150F35CET | 15MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP150F35CET.pdf | |
![]() | CFR-50JT-52-1M | CFR-50JT-52-1M YAGEO Call | CFR-50JT-52-1M.pdf | |
![]() | VF4M-11F11-S05 | VF4M-11F11-S05 Tyco con | VF4M-11F11-S05.pdf | |
![]() | ORWH-SS-124D1F-000 | ORWH-SS-124D1F-000 NEC DIP | ORWH-SS-124D1F-000.pdf | |
![]() | D982 | D982 FUJI TO220 | D982.pdf | |
![]() | DSEK60_02A | DSEK60_02A IXSY TO 3P | DSEK60_02A.pdf | |
![]() | M5M29KB331AVP#B0 | M5M29KB331AVP#B0 RENESA SMD or Through Hole | M5M29KB331AVP#B0.pdf | |
![]() | M80A65PB | M80A65PB EPSON DIP | M80A65PB.pdf | |
![]() | XPC823ZT75B2 | XPC823ZT75B2 MOT BGA | XPC823ZT75B2.pdf | |
![]() | LC375300STF03TLM | LC375300STF03TLM SANYO SMD or Through Hole | LC375300STF03TLM.pdf | |
![]() | 172139-11 | 172139-11 ORIGINAL NEW | 172139-11.pdf | |
![]() | BSB017N03LX3Gpb-FREE | BSB017N03LX3Gpb-FREE INFINEON SMD or Through Hole | BSB017N03LX3Gpb-FREE.pdf |