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Rohm Semiconductor RQ1C065UNTR

RQ1C065UNTR
제조업체 부품 번호
RQ1C065UNTR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
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내부 부품 번호EIS-RQ1C065UNTR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RQ1C065UN
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6.5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs22m옴 @ 6.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs11nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds870pF @ 10V
전력 - 최대700mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SMD, 평면 리드
공급 장치 패키지TSMT8
표준 포장 3,000
다른 이름RQ1C065UNTRTR
RQ1C065UNTRTR-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RQ1C065UNTR
관련 링크RQ1C06, RQ1C065UNTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
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