창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RQ1A070ZPTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RQ1A070ZP | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 7A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7400pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RQ1A070ZPTR | |
| 관련 링크 | RQ1A07, RQ1A070ZPTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | IPA045N10N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP | IPA045N10N3GXKSA1.pdf | |
![]() | 768141151GPTR13 | RES ARRAY 13 RES 150 OHM 14SOIC | 768141151GPTR13.pdf | |
![]() | MRS25000C6659FRP00 | RES 66.5 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C6659FRP00.pdf | |
![]() | T2733S | T2733S IMP SOP40P | T2733S.pdf | |
![]() | Q41454351000200 RTC- | Q41454351000200 RTC- ORIGINAL SMD or Through Hole | Q41454351000200 RTC-.pdf | |
![]() | AY30000 | AY30000 NAIS RELAY | AY30000.pdf | |
![]() | FM5819-L | FM5819-L Formosa SMADO-1 | FM5819-L.pdf | |
![]() | AF251 | AF251 AMD SMD or Through Hole | AF251.pdf | |
![]() | NTC-T105M25TRPF | NTC-T105M25TRPF NIC SMD or Through Hole | NTC-T105M25TRPF.pdf | |
![]() | HIP3601CB | HIP3601CB INS SOIC | HIP3601CB.pdf | |
![]() | 966AS-4R7N=P3 | 966AS-4R7N=P3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 966AS-4R7N=P3.pdf | |
![]() | BYW51200CT | BYW51200CT ST TO-220 | BYW51200CT.pdf |