홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » RQ1A060ZPTR

Rohm Semiconductor RQ1A060ZPTR

RQ1A060ZPTR
제조업체 부품 번호
RQ1A060ZPTR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
데이터 시트 다운로드
다운로드
RQ1A060ZPTR 가격 및 조달

가능 수량

80550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 327.41280
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RQ1A060ZPTR 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. RQ1A060ZPTR 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RQ1A060ZPTR가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RQ1A060ZPTR 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RQ1A060ZPTR 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RQ1A060ZPTR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RQ1A060ZP
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs23m옴 @ 6A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs34nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2800pF @ 6V
전력 - 최대700mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SMD, 평면 리드
공급 장치 패키지TSMT8
표준 포장 3,000
다른 이름RQ1A060ZPTR-ND
RQ1A060ZPTRTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RQ1A060ZPTR
관련 링크RQ1A06, RQ1A060ZPTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
RQ1A060ZPTR 의 관련 제품
1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) 1808AC102MAT3A.pdf
3G/UMTS SOCKET MODEM ZOOM-N-UMTS.pdf
XRU4052BF2 ORIGINAL SMD or Through Hole XRU4052BF2.pdf
C1808N560J302T HEC 1808 C1808N560J302T.pdf
WSB772-G TO126 ORIGINAL TO126 WSB772-G TO126.pdf
MMBF0201NLT1G. ORIGINAL SMD or Through Hole MMBF0201NLT1G..pdf
MAX5423ETA+T MAXIM SMD or Through Hole MAX5423ETA+T.pdf
43030-0009. MOLEX SMD or Through Hole 43030-0009..pdf
7188S45P N/A DIP 7188S45P.pdf
MC33364D2R ON SOP MC33364D2R.pdf
MA6X1250G PANASONIC SMD or Through Hole MA6X1250G.pdf