창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RNMF12FTD422K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RNF, RNMF Series Resistor Packaging Spec | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| PCN 부품 번호 | Global Part Number 9/Aug/2010 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 스루홀 저항기 | |
| 제조업체 | Stackpole Electronics Inc. | |
| 계열 | RNMF | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 422k | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.5W, 1/2W | |
| 구성 | 메탈 필름 | |
| 특징 | 난연코팅, 안전 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 축방향 | |
| 공급 장치 패키지 | 축방향 | |
| 크기/치수 | 0.093" Dia x 0.250" L(2.35mm x 6.35mm) | |
| 높이 | - | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | RNM 1/2 T1 422K 1% R RNM 1/2 T1 422K 1% R-ND RNM1/2T1422K1%R RNM1/2T1422K1%R-ND RNM1/2T1422KFR RNM1/2T1422KFR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RNMF12FTD422K | |
| 관련 링크 | RNMF12F, RNMF12FTD422K 데이터 시트, Stackpole Electronics Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | BFC237882133 | 0.013µF Film Capacitor 500V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | BFC237882133.pdf | |
![]() | CDR01BX152BKUS-PB | CDR01BX152BKUS-PB AVX SMD or Through Hole | CDR01BX152BKUS-PB.pdf | |
![]() | PE7745DEW-133.333M | PE7745DEW-133.333M PLE SMD or Through Hole | PE7745DEW-133.333M.pdf | |
![]() | SDC03015T-3R3M-N | SDC03015T-3R3M-N YAGEO SMD | SDC03015T-3R3M-N.pdf | |
![]() | Q6040K | Q6040K TECCOR TO-3P | Q6040K.pdf | |
![]() | A2981LW | A2981LW ALLEGRO SOP | A2981LW.pdf | |
![]() | CP8531 | CP8531 CY SOP24 | CP8531.pdf | |
![]() | BZX384-C12/D6 | BZX384-C12/D6 GENERALSEMICONDUCTOR ORIGINAL | BZX384-C12/D6.pdf | |
![]() | LSI1032EA | LSI1032EA LATTICE QFP100 | LSI1032EA.pdf | |
![]() | CM1693-06DE | CM1693-06DE ON SMD or Through Hole | CM1693-06DE.pdf | |
![]() | SN100632P | SN100632P TI DIP8 | SN100632P.pdf | |
![]() | ADG722BRMZ-REEL | ADG722BRMZ-REEL AD SMD or Through Hole | ADG722BRMZ-REEL.pdf |