창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RND030N20TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RND030N20 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 870m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 850mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RND030N20TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RND030N20TL | |
| 관련 링크 | RND030, RND030N20TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 04023J5R1CBWTR | 5.1pF Thin Film Capacitor 25V 0402 (1005 Metric) 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) | 04023J5R1CBWTR.pdf | |
![]() | MMB02070C1200FB200 | RES SMD 120 OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C1200FB200.pdf | |
![]() | TNPW0603270RBETA | RES SMD 270 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603270RBETA.pdf | |
![]() | PTN1206E4022BST1 | RES SMD 40.2K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E4022BST1.pdf | |
![]() | Y1441180K000V9L | RES 180K OHM 1W 0.005% RADIAL | Y1441180K000V9L.pdf | |
![]() | AM95C96-2KC | AM95C96-2KC ADM QFP | AM95C96-2KC.pdf | |
![]() | EP9302-CQZ/E2 | EP9302-CQZ/E2 CIRRUS QFP-208 | EP9302-CQZ/E2.pdf | |
![]() | 104128-1 | 104128-1 TYCO SMD or Through Hole | 104128-1.pdf | |
![]() | CTV3C-V | CTV3C-V ORIGINAL PLCC | CTV3C-V.pdf | |
![]() | SK4-1C475M-RA | SK4-1C475M-RA ELNA SMD or Through Hole | SK4-1C475M-RA.pdf | |
![]() | ALC12A102EH400 | ALC12A102EH400 BHC SMD or Through Hole | ALC12A102EH400.pdf | |
![]() | B72214S0102K503 | B72214S0102K503 EPCOS SPQ200 | B72214S0102K503.pdf |