창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RND030N20TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RND030N20 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 870m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 850mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RND030N20TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RND030N20TL | |
| 관련 링크 | RND030, RND030N20TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GQM2195C2E8R0CB12D | 8pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GQM2195C2E8R0CB12D.pdf | |
![]() | IHSM4825ER121L | 120µH Unshielded Inductor 660mA 735 mOhm Max Nonstandard | IHSM4825ER121L.pdf | |
![]() | CRGV2512F80K6 | RES SMD 80.6K OHM 1% 1W 2512 | CRGV2512F80K6.pdf | |
![]() | VP02748-1-27-9052 | VP02748-1-27-9052 VLSI DIP | VP02748-1-27-9052.pdf | |
![]() | SC80345PK | SC80345PK MOTO IC | SC80345PK.pdf | |
![]() | ESR06041R5ML | ESR06041R5ML ABC SMD or Through Hole | ESR06041R5ML.pdf | |
![]() | ADM3307EZ-REEL | ADM3307EZ-REEL ADI TSSOP28 | ADM3307EZ-REEL.pdf | |
![]() | AFP6801TS6RG | AFP6801TS6RG ALFA-MOS TSOP-6 | AFP6801TS6RG.pdf | |
![]() | KSN-403N | KSN-403N MCL SMD | KSN-403N.pdf | |
![]() | LM258BH/883 | LM258BH/883 NS SMD or Through Hole | LM258BH/883.pdf | |
![]() | 250V105 (105J250V) | 250V105 (105J250V) ORIGINAL DIP | 250V105 (105J250V).pdf |