- RN55E75R9B
- 제조업체 부품 번호
- RN55E75R9B
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 3
- 간단한 설명
- RN55E75R9B DALE SMD or Through Hole
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
RN55E75R9B 가격 및 조달
가능 수량
105910 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 RN55E75R9B 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. RN55E75R9B 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN55E75R9B가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- RN55E75R9B 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RN55E75R9B 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RN55E75R9B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RN55E75R9B | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RN55E75R9B | |
| 관련 링크 | RN55E7, RN55E75R9B 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
RN55E75R9B 의 관련 제품
| Y001910R0000A0L | RES 10 OHM .3W .05% AXIAL | Y001910R0000A0L.pdf | |
| M29W640GB6AZA6E/M29W640GB6AZA6F | M29W640GB6AZA6E/M29W640GB6AZA6F MICRON TFBGA-48 | M29W640GB6AZA6E/M29W640GB6AZA6F.pdf | |
| 2N256 | 2N256 MOT TO-3 | 2N256.pdf | |
| 26.944MHZ | 26.944MHZ ORIGINAL 5X7 | 26.944MHZ.pdf | |
| EP1S20F672C9 | EP1S20F672C9 ALTERA BGA | EP1S20F672C9.pdf | |
| TLP747JF(D4,NM,F) | TLP747JF(D4,NM,F) TOSHIBA DIP6 | TLP747JF(D4,NM,F).pdf | |
| 74ABT244DW | 74ABT244DW TI SOP | 74ABT244DW.pdf | |
| 6025.101.501 | 6025.101.501 VARTAMICROBATTERY SMD or Through Hole | 6025.101.501.pdf | |
| UC82073MU024-013 | UC82073MU024-013 UC IC74LM4000 | UC82073MU024-013.pdf | |
| 74HC7046AD,118 | 74HC7046AD,118 NXP NA | 74HC7046AD,118.pdf |