홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » RN4906,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage RN4906,LF(CT

RN4906,LF(CT
제조업체 부품 번호
RN4906,LF(CT
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN4906,LF(CT 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 33.72969
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN4906,LF(CT 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN4906,LF(CT 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN4906,LF(CT가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN4906,LF(CT 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN4906,LF(CT 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN4906,LF(CT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN4906
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz, 200MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지US6
표준 포장 3,000
다른 이름RN4906,LF(CB
RN4906LF(CTTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN4906,LF(CT
관련 링크RN4906,, RN4906,LF(CT 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN4906,LF(CT 의 관련 제품
500pF Feed Through Capacitor 200V 10A Axial, Bushing 4403-031LF.pdf
4.7µH Shielded Wirewound Inductor 820mA 398 mOhm Max 1008 (2520 Metric) VLS252010ET-4R7M-CA.pdf
RES SMD 6.2 OHM 5% 1/2W 1210 RMCF1210JT6R20.pdf
RES SMD 255 OHM 0.1% 1W 1206 HRG3216P-2550-B-T1.pdf
MHF3793 FIL CDIP MHF3793.pdf
1015CN EXRA CDIP8 1015CN.pdf
DSA362M ORIGINAL DIP DSA362M.pdf
HIP2101IR4 ISL Call HIP2101IR4.pdf
SI-1010G ORIGINAL SMD or Through Hole SI-1010G.pdf
FSQ0465RUWDTU FSC SMD or Through Hole FSQ0465RUWDTU.pdf
IBMSTB02500 IBM BGA IBMSTB02500.pdf