창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN2911FE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN2910FE-11FE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | RN2911FE(TE85LF)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN2911FE(TE85L,F) | |
관련 링크 | RN2911FE(T, RN2911FE(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | K390J10C0GF5UL2 | 39pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K390J10C0GF5UL2.pdf | |
![]() | AC0805FR-0780K6L | RES SMD 80.6K OHM 1% 1/8W 0805 | AC0805FR-0780K6L.pdf | |
![]() | 3SK142 | 3SK142 TOSHIBA DIP SMD | 3SK142.pdf | |
![]() | A4806E3R-14Z | A4806E3R-14Z AIT SOT23 | A4806E3R-14Z.pdf | |
![]() | 0IIML-0004A | 0IIML-0004A SILICON SOT-23 | 0IIML-0004A.pdf | |
![]() | CMPSH-3 D95 SOT-23 | CMPSH-3 D95 SOT-23 ORIGINAL SMD or Through Hole | CMPSH-3 D95 SOT-23.pdf | |
![]() | LWW5AM-KYLX-5K8L | LWW5AM-KYLX-5K8L OSRAM SMD or Through Hole | LWW5AM-KYLX-5K8L.pdf | |
![]() | DG509BP/883 | DG509BP/883 SILICONI DIP | DG509BP/883.pdf | |
![]() | W29EE0119-90 | W29EE0119-90 WINBOND QFP | W29EE0119-90.pdf | |
![]() | LG080M1500BPF-2235 | LG080M1500BPF-2235 YA SMD or Through Hole | LG080M1500BPF-2235.pdf | |
![]() | MN171602JPQ2 | MN171602JPQ2 Panasonic DIP64 | MN171602JPQ2.pdf | |
![]() | MDS150A800V | MDS150A800V SanRexPak SMD or Through Hole | MDS150A800V.pdf |