홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » RN2911,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage RN2911,LF(CT

RN2911,LF(CT
제조업체 부품 번호
RN2911,LF(CT
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN2911,LF(CT 가격 및 조달

가능 수량

14550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 33.72969
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN2911,LF(CT 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN2911,LF(CT 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN2911,LF(CT가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN2911,LF(CT 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN2911,LF(CT 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN2911,LF(CT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN2910-11
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-61AA
공급 장치 패키지SMQ
표준 포장 3,000
다른 이름RN2911,LF(CB
RN2911LF(CTTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN2911,LF(CT
관련 링크RN2911,, RN2911,LF(CT 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN2911,LF(CT 의 관련 제품
RES 49.9K OHM 1/2W 1% AXIAL CMF5549K900FHRE.pdf
IRF841 FAIR SMD or Through Hole IRF841.pdf
MM1519XQ Mitsumi QFP(50TRAY) MM1519XQ.pdf
PFB22824E-V1.3 Infineon BGA PFB22824E-V1.3.pdf
dbfme-101 ittcannon SMD or Through Hole dbfme-101.pdf
BA42342 ROHM SQL-18 BA42342.pdf
STMP0401 SIGMATEL BGA STMP0401.pdf
C3827 ORIGINAL TO-3P C3827.pdf
D173120C2 ORIGINAL SMD or Through Hole D173120C2.pdf
SE706(10J08) DENSO SOP8 SE706(10J08).pdf
4011-5009 KYC PLCC 4011-5009.pdf
T9G0201203DH POWEREX MODULE T9G0201203DH.pdf