창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN2908FE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN2907FE-09FE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | RN2908FE(TE85LF)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN2908FE(TE85L,F) | |
관련 링크 | RN2908FE(T, RN2908FE(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
WSR2R4000FEA | RES SMD 0.4 OHM 1% 2W 4527 | WSR2R4000FEA.pdf | ||
PAT0510S-C-3DB-T10 | RF Attenuator 3dB ±0.3dB 0 ~ 10GHz 50 Ohm 32mW 0402 (1005 Metric) | PAT0510S-C-3DB-T10.pdf | ||
BUX86.87 | BUX86.87 ORIGINAL SMD or Through Hole | BUX86.87.pdf | ||
L6205PD-TR | L6205PD-TR STM HSOP20 | L6205PD-TR.pdf | ||
XC2C128-6CPG132C | XC2C128-6CPG132C XILINX BGA | XC2C128-6CPG132C.pdf | ||
M50747-156SP | M50747-156SP ORIGINAL DIP64 | M50747-156SP.pdf | ||
M9261M | M9261M EPCOS ZIP-6 | M9261M.pdf | ||
SCW05B-12 | SCW05B-12 MW SMD or Through Hole | SCW05B-12.pdf | ||
ECQE2103KBB | ECQE2103KBB PAN DIP-2 | ECQE2103KBB.pdf | ||
CX11254 | CX11254 CONEXANT TSSOP-16 | CX11254.pdf | ||
CB3LV-3I-66M666 | CB3LV-3I-66M666 CTS SMD | CB3LV-3I-66M666.pdf | ||
APX2600-A03,ARM11 MPCORE,REV:A03, | APX2600-A03,ARM11 MPCORE,REV:A03, Microchip FCCSP 452P | APX2600-A03,ARM11 MPCORE,REV:A03,.pdf |