홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » RN2906,LF

Toshiba Semiconductor and Storage RN2906,LF

RN2906,LF
제조업체 부품 번호
RN2906,LF
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN2906,LF 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 33.72969
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN2906,LF 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN2906,LF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN2906,LF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN2906,LF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN2906,LF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN2906,LF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN2901-06
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지US6
표준 포장 3,000
다른 이름RN2906,LF(CB
RN2906,LF(CT
RN2906LF(CTTR
RN2906LF(CTTR-ND
RN2906LFTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN2906,LF
관련 링크RN290, RN2906,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN2906,LF 의 관련 제품
15µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 110 mOhm Nonstandard NRG4026T150M.pdf
RES SMD 470K OHM 1% 3/4W 2010 AC2010FK-07470KL.pdf
XCV300-4BGG432C XILINX BGA XCV300-4BGG432C.pdf
IDT7188S55C IDT DIP24 IDT7188S55C.pdf
M37204M8-751 ORIGINAL IC M37204M8-751.pdf
DS13210S ORIGINAL SOP DS13210S.pdf
QTLP650D-3TR N/A SMD or Through Hole QTLP650D-3TR.pdf
XC62FP4702PR(4K) TOREX SOT89 XC62FP4702PR(4K).pdf
LPS125 ASTEC SMD or Through Hole LPS125.pdf
MAX1522EUT+T MAXIC SOT MAX1522EUT+T.pdf
FPS00924050 Yamaichi NA FPS00924050.pdf
BCM65100IFEB Broadcom NA BCM65100IFEB.pdf