Toshiba Semiconductor and Storage RN2108(T5L,F,T)

RN2108(T5L,F,T)
제조업체 부품 번호
RN2108(T5L,F,T)
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN2108(T5L,F,T) 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 33.72969
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN2108(T5L,F,T) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN2108(T5L,F,T) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN2108(T5L,F,T)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN2108(T5L,F,T) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN2108(T5L,F,T) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN2108(T5L,F,T)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN2107-09
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)22k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대100mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-75, SOT-416
공급 장치 패키지SSM
표준 포장 3,000
다른 이름RN2108(T5LFT)TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN2108(T5L,F,T)
관련 링크RN2108(T5, RN2108(T5L,F,T) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN2108(T5L,F,T) 의 관련 제품
RES SMD 64.9 OHM 0.1% 1/16W 0402 ERA-2AEB64R9X.pdf
RES 7.15K OHM 1/4W 0.1% AXIAL Y00607K15000B9L.pdf
RES 4.5K OHM 0.3W 0.01% AXIAL Y00934K50000T0L.pdf
AM59014 AM59-0014 MACOM SOP8 AM59014 AM59-0014.pdf
LS-XQ-2009-18W ORIGINAL SMD or Through Hole LS-XQ-2009-18W.pdf
QRRN4B2AY510J-T1 TAIYO LL34 QRRN4B2AY510J-T1.pdf
NNCD39C/D/E/F/G NEC SMD or Through Hole NNCD39C/D/E/F/G.pdf
PCA9547PW.112 NXP/PH SMD or Through Hole PCA9547PW.112.pdf
SC9257 ORIGINAL SOP SC9257.pdf
HA13516 HITACHI ZIP-23 HA13516.pdf