창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN2105(T5L,F,T) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN2101-06 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | SSM | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | RN2105(T5LFT)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN2105(T5L,F,T) | |
관련 링크 | RN2105(T5, RN2105(T5L,F,T) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
ASGTX-D-12.800MHZ-2-T2 | 12.8MHz LVDS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.135 V ~ 3.465 V 40mA | ASGTX-D-12.800MHZ-2-T2.pdf | ||
MMBZ4696-HE3-08 | DIODE ZENER 9.1V 350MW SOT23-3 | MMBZ4696-HE3-08.pdf | ||
CRCW080512R0JNTA | RES SMD 12 OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW080512R0JNTA.pdf | ||
CMF702K6100FKBF | RES 2.61K OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF702K6100FKBF.pdf | ||
ABRT | ABRT CAT MSOP8 | ABRT.pdf | ||
L7734-31 41 | L7734-31 41 SSAS SMD or Through Hole | L7734-31 41.pdf | ||
LC3664BL10 | LC3664BL10 SANYO SMD or Through Hole | LC3664BL10.pdf | ||
CEP744A | CEP744A ORIGINAL TO-220 | CEP744A.pdf | ||
QG82910GMLE S LA9L | QG82910GMLE S LA9L Intel SMD or Through Hole | QG82910GMLE S LA9L.pdf | ||
BU5872 | BU5872 ORIGINAL SMD or Through Hole | BU5872.pdf | ||
1210-824K | 1210-824K SAMSUNG SMD | 1210-824K.pdf | ||
SKDI26/08 | SKDI26/08 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKDI26/08.pdf |