창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN2103(T5L,F,T) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN210(1-6) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | SSM | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RN2103(T5LFT)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN2103(T5L,F,T) | |
관련 링크 | RN2103(T5, RN2103(T5L,F,T) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | ECQ-E1185KF | 1.8µF Film Capacitor 100V Polyester, Metallized Radial 0.728" L x 0.256" W (18.50mm x 6.50mm) | ECQ-E1185KF.pdf | |
![]() | 445C32E20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C32E20M00000.pdf | |
![]() | MCT06030D7872BP100 | RES SMD 78.7KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D7872BP100.pdf | |
![]() | S1087 | S1087 HAMAMATSU DIP | S1087.pdf | |
![]() | IGBT3-12 | IGBT3-12 ORIGINAL TO-220 | IGBT3-12.pdf | |
![]() | MD13289 | MD13289 DS PLCC-44 | MD13289.pdf | |
![]() | ICS91305AMT | ICS91305AMT ICS SOP8 | ICS91305AMT.pdf | |
![]() | LH52640-PF | LH52640-PF LIGITEK LED | LH52640-PF.pdf | |
![]() | GRF32ER72A225MA02L | GRF32ER72A225MA02L MU SMD or Through Hole | GRF32ER72A225MA02L.pdf | |
![]() | DS8908N | DS8908N NS DIP20 | DS8908N.pdf | |
![]() | UPD72255YF1GA1 | UPD72255YF1GA1 NEC AYFSMD | UPD72255YF1GA1.pdf |