창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN2101,LF(CT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN210(1-6) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 4.7k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | SSM | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RN2101(T5L,F,T) RN2101(T5LFT)TR RN2101(T5LFT)TR-ND RN2101,LF(CB RN2101LF(CTTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN2101,LF(CT | |
관련 링크 | RN2101,, RN2101,LF(CT 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
CL05C4R7BB5NNNC | 4.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05C4R7BB5NNNC.pdf | ||
CL32A226MQJNNNE | 22µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CL32A226MQJNNNE.pdf | ||
UP050RH100J-B-B | 10pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050RH100J-B-B.pdf | ||
ELC-09D222DF | 2.2mH Unshielded Wirewound Inductor 170mA 4.4 Ohm Radial | ELC-09D222DF.pdf | ||
1008-393H | 39µH Unshielded Inductor 125mA 9 Ohm Max 2-SMD | 1008-393H.pdf | ||
MMF25SFRF10R | RES SMD 10 OHM 1% 1/4W MELF | MMF25SFRF10R.pdf | ||
LB1843VTLM | LB1843VTLM NSC DIPSOP | LB1843VTLM.pdf | ||
128L3T ES | 128L3T ES INTEL BGA | 128L3T ES.pdf | ||
EP936E0 | EP936E0 ORIGINAL SMD or Through Hole | EP936E0.pdf | ||
STP55NE05 | STP55NE05 ST TO-220 | STP55NE05.pdf | ||
VRS-CZ1JQ393DT | VRS-CZ1JQ393DT ORIGINAL 0402 39K D | VRS-CZ1JQ393DT.pdf | ||
GM71V16160BJ-6 | GM71V16160BJ-6 HYNIX SMD or Through Hole | GM71V16160BJ-6.pdf |