홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » RN2101(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage RN2101(T5L,F,T)

RN2101(T5L,F,T)
제조업체 부품 번호
RN2101(T5L,F,T)
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN2101(T5L,F,T) 가격 및 조달

가능 수량

11655 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 48.67900
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN2101(T5L,F,T) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN2101(T5L,F,T) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN2101(T5L,F,T)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN2101(T5L,F,T) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN2101(T5L,F,T) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN2101(T5L,F,T)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN210(1-6)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장Digi-Reel®
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)4.7k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대100mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-75, SOT-416
공급 장치 패키지SSM
표준 포장 1
다른 이름RN2101(T5LFT)DKR
RN2101(T5LFT)DKR-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN2101(T5L,F,T)
관련 링크RN2101(T5, RN2101(T5L,F,T) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN2101(T5L,F,T) 의 관련 제품
330µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 10000 Hrs @ 105°C LGR2E331MELA35.pdf
1.8432MHZ 5070 KDS 5070 1.8432MHZ 5070.pdf
LMK212BJ105MD-T TAIYO SMD LMK212BJ105MD-T.pdf
RD1986MMA6260Q FREESCALE SMD or Through Hole RD1986MMA6260Q.pdf
MSOP10LD N/A MSOP-8 MSOP10LD.pdf
PCI5020IGHKEP TI SMD or Through Hole PCI5020IGHKEP.pdf
74LCX125MTX FAI SMD or Through Hole 74LCX125MTX.pdf
UC3705AJ/883 ORIGINAL SMD or Through Hole UC3705AJ/883.pdf
CM10ADXX-24H MITSUBISHI 10A1200VIGBTDIODE CM10ADXX-24H.pdf