창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN1961FE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN1961-66FE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 4.7k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | RN1961FE(TE85LF)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN1961FE(TE85L,F) | |
관련 링크 | RN1961FE(T, RN1961FE(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
UHV0J152MPD1TD | 1500µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | UHV0J152MPD1TD.pdf | ||
RT1206FRE0738K3L | RES SMD 38.3K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE0738K3L.pdf | ||
Y14880R05000F19R | RES SMD 0.05 OHM 1% 2W 3637 | Y14880R05000F19R.pdf | ||
TNPW251224K0BEEY | RES SMD 24K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251224K0BEEY.pdf | ||
0805 47UH 10% | 0805 47UH 10% ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805 47UH 10%.pdf | ||
J111-TA | J111-TA Vishay TO-92 | J111-TA.pdf | ||
1W402-M020-T8E 0603-W2 PB-FREE | 1W402-M020-T8E 0603-W2 PB-FREE TWPEC SMD or Through Hole | 1W402-M020-T8E 0603-W2 PB-FREE.pdf | ||
MIC2085-KBQSTR | MIC2085-KBQSTR MICREL SMD or Through Hole | MIC2085-KBQSTR.pdf | ||
HEF74HC373P | HEF74HC373P NXP DIP | HEF74HC373P.pdf | ||
PAL16R4ANJ/883B | PAL16R4ANJ/883B ORIGINAL CDIP | PAL16R4ANJ/883B.pdf | ||
T351D275M035AS | T351D275M035AS KEMET DIP | T351D275M035AS.pdf | ||
P2WB3 | P2WB3 ORIGINAL SOP8 | P2WB3.pdf |