홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » RN1906,LF

Toshiba Semiconductor and Storage RN1906,LF

RN1906,LF
제조업체 부품 번호
RN1906,LF
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN1906,LF 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 59.67567
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN1906,LF 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN1906,LF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN1906,LF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN1906,LF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN1906,LF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN1906,LF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN1901-06
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황단종
트랜지스터 유형2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지US6
표준 포장 3,000
다른 이름RN1906LFTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN1906,LF
관련 링크RN190, RN1906,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN1906,LF 의 관련 제품
0.10µF 4V 세라믹 커패시터 X5R 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) CL02A104MR2NNNC.pdf
330µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 3226 (8066 Metric) 100 mOhm 0.315" L x 0.260" W (8.00mm x 6.60mm) T97H337K020LSB.pdf
AC/DC CONVERTER 28V 120W DG120M-G.pdf
ABRI max 6 SOT-23 ABRI.pdf
AM107 skyworks SMD or Through Hole AM107.pdf
DEA1X3A680JD1B MURATA DIP DEA1X3A680JD1B.pdf
UPD4512BD-A NEC DIP-16 UPD4512BD-A.pdf
ECS-T1CP684R Panasonic SMD or Through Hole ECS-T1CP684R.pdf
CD421660A PRX SMD or Through Hole CD421660A.pdf
A1784-E SANYO DIP-3 A1784-E.pdf
SL7331 ON SMD or Through Hole SL7331.pdf