창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN1904,LF(CT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN1901-06 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | US6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RN1904(T5L,F,T) RN1904(T5LFT)TR RN1904(T5LFT)TR-ND RN1904LF(CT RN1904LF(CT-ND RN1904LF(CTTR RN1904T5LFT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN1904,LF(CT | |
관련 링크 | RN1904,, RN1904,LF(CT 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | UKT0J471MPD | 470µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UKT0J471MPD.pdf | |
![]() | C901U300JYSDCAWL45 | 30pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U300JYSDCAWL45.pdf | |
![]() | CRCW06039M76FKEB | RES SMD 9.76M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06039M76FKEB.pdf | |
![]() | D7564CS072 | D7564CS072 NEC DIP-20 | D7564CS072.pdf | |
![]() | CS10/SMD(6*3.5) 18PF | CS10/SMD(6*3.5) 18PF CITIZEN SMD(2P) | CS10/SMD(6*3.5) 18PF.pdf | |
![]() | s1460bf-b11 | s1460bf-b11 ORIGINAL SOP28 | s1460bf-b11.pdf | |
![]() | TMX32C6203BGLX | TMX32C6203BGLX TI BGA | TMX32C6203BGLX.pdf | |
![]() | XB2-BVM3C 1 | XB2-BVM3C 1 ORIGINAL SMD or Through Hole | XB2-BVM3C 1.pdf | |
![]() | 07MFG-682K-50 | 07MFG-682K-50 Fastron NA | 07MFG-682K-50.pdf | |
![]() | ST1000C20K3 | ST1000C20K3 IR module | ST1000C20K3.pdf | |
![]() | 5.6NH/0402 | 5.6NH/0402 TDK SMD or Through Hole | 5.6NH/0402.pdf | |
![]() | MDD95-04N1 | MDD95-04N1 IXYS SMD or Through Hole | MDD95-04N1.pdf |