창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RN1902T5LFT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RN1901-06 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | US6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RN1902(T5L,F,T) RN1902T5LFTTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RN1902T5LFT | |
| 관련 링크 | RN1902, RN1902T5LFT 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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![]() | 445C3XB30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 13pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XB30M00000.pdf | |
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![]() | MN39603PM-J | MN39603PM-J panasonic SOP | MN39603PM-J.pdf | |
![]() | DSH1220.45200A | DSH1220.45200A TIMONTA SMD or Through Hole | DSH1220.45200A.pdf | |
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![]() | PACUSBVB-D2Y6 | PACUSBVB-D2Y6 CMD SOT23-5 | PACUSBVB-D2Y6.pdf | |
![]() | IDT72210 | IDT72210 IDT DIP | IDT72210.pdf | |
![]() | HI9P0548-5Z96 | HI9P0548-5Z96 INTERSIL SOP16 | HI9P0548-5Z96.pdf | |
![]() | UWZ0J470MCL1GS | UWZ0J470MCL1GS NICHICON SMD | UWZ0J470MCL1GS.pdf | |
![]() | CNY17-3-X017T | CNY17-3-X017T SIEMENS SMD or Through Hole | CNY17-3-X017T.pdf |