창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RN1901FETE85LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RN1901-06 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 4.7k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | ES6 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | RN1901FE(TE85L,F) RN1901FETE85LFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RN1901FETE85LF | |
| 관련 링크 | RN1901FE, RN1901FETE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | RT1210BRD0782R5L | RES SMD 82.5 OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD0782R5L.pdf | |
![]() | Y145410K0000V0L | RES 10K OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y145410K0000V0L.pdf | |
| RPM872-H14E2A | MODULE IRDA 115.2KBPS 8SMD | RPM872-H14E2A.pdf | ||
![]() | FW80200M733SL5YK | FW80200M733SL5YK INTEL BGA | FW80200M733SL5YK.pdf | |
![]() | MS10100 | MS10100 MICROSEMI TO-220AC | MS10100.pdf | |
![]() | 8007B-3 | 8007B-3 PHILIPS QFP | 8007B-3.pdf | |
![]() | DSDI12-02B | DSDI12-02B IXYS DO-4 | DSDI12-02B.pdf | |
![]() | TSR3G2151D | TSR3G2151D ORIGINAL SMD or Through Hole | TSR3G2151D.pdf | |
![]() | AT27HC641R | AT27HC641R ATMEL DIP28 | AT27HC641R.pdf | |
![]() | 1393586-9 | 1393586-9 TYCO SMD or Through Hole | 1393586-9.pdf | |
![]() | PI6C410V | PI6C410V ORIGINAL SMD or Through Hole | PI6C410V.pdf | |
![]() | ADM810RARTZ-REEL7.. | ADM810RARTZ-REEL7.. SOT- ADI | ADM810RARTZ-REEL7...pdf |