창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN1506(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN1501-06 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(에미터 결합) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 300mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74A, SOT-753 | |
공급 장치 패키지 | SMV | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RN1506(TE85LF)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN1506(TE85L,F) | |
관련 링크 | RN1506(TE, RN1506(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 478LBA050M2CE | 4700µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 123.46 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 478LBA050M2CE.pdf | |
![]() | PTKM10R-180SM | 10µH Shielded Toroidal Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard | PTKM10R-180SM.pdf | |
![]() | 56057100 | 56057100 DTIP SMD or Through Hole | 56057100.pdf | |
![]() | PP1303201 | PP1303201 ORIGINAL SMD or Through Hole | PP1303201.pdf | |
![]() | 900-732 | 900-732 AGILENT DIP8 | 900-732.pdf | |
![]() | 66DCSA | 66DCSA CSI SOP8 | 66DCSA.pdf | |
![]() | M50459-001SP | M50459-001SP MIT DIP | M50459-001SP.pdf | |
![]() | C4CAWUC2680AA0J | C4CAWUC2680AA0J KEMET Axial | C4CAWUC2680AA0J.pdf | |
![]() | STD50N03LT4 | STD50N03LT4 S TO-252 | STD50N03LT4.pdf | |
![]() | MT2121FDJF. | MT2121FDJF. ORIGINAL QFP | MT2121FDJF..pdf | |
![]() | 6035 29.4912MHZ | 6035 29.4912MHZ KDS SMD or Through Hole | 6035 29.4912MHZ.pdf | |
![]() | LTC3526EDC-2#TRPBF | LTC3526EDC-2#TRPBF LT QFN6 | LTC3526EDC-2#TRPBF.pdf |