홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » RN1503(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage RN1503(TE85L,F)

RN1503(TE85L,F)
제조업체 부품 번호
RN1503(TE85L,F)
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN1503(TE85L,F) 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 103.78367
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN1503(TE85L,F) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN1503(TE85L,F) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN1503(TE85L,F)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN1503(TE85L,F) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN1503(TE85L,F) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN1503(TE85L,F)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN1501-06
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황견적 필요
트랜지스터 유형2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(에미터 결합)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)22k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)22k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-74A, SOT-753
공급 장치 패키지SMV
표준 포장 3,000
다른 이름RN1503(TE85LF)TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN1503(TE85L,F)
관련 링크RN1503(TE, RN1503(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN1503(TE85L,F) 의 관련 제품
125MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 121mA Enable/Disable 530AC125M000DGR.pdf
RES SMD 10 OHM 5% 1/16W 0402 SR0402JR-0710RL.pdf
HC55185AIMZ INTERSIL PLCC28 HC55185AIMZ.pdf
CTP009-0540S-RL ORIGINAL SMD or Through Hole CTP009-0540S-RL.pdf
XCV2000E-6FG1156 XIL BGA XCV2000E-6FG1156.pdf
63K4-1％-1/8W MAJOR SMD or Through Hole 63K4-1％-1/8W.pdf
NAN0SMDM100-02 ORIGINAL SMD or Through Hole NAN0SMDM100-02.pdf
M37774M5H521GP MIT QFP M37774M5H521GP.pdf
JS1a-DC4.5V Panasonic SMD or Through Hole JS1a-DC4.5V.pdf