홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » RN1424TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage RN1424TE85LF

RN1424TE85LF
제조업체 부품 번호
RN1424TE85LF
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN1424TE85LF 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 130.47100
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN1424TE85LF 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN1424TE85LF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN1424TE85LF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN1424TE85LF 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN1424TE85LF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN1424TE85LF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN142x
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)800mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce90 @ 100mA, 1V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션300MHz
전력 - 최대200mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지S-Mini
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN1424TE85LF
관련 링크RN1424T, RN1424TE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN1424TE85LF 의 관련 제품
75MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Standby (Power Down) DSC1103CI5-075.0000T.pdf
MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 BSP250,115.pdf
MOSFET N-CH 250V 16A TO220 GP1M016A025HG.pdf
RES SMD 28K OHM 1% 1/16W 0402 RE0402FRE0728KL.pdf
RES SMD 82 OHM 5% 5W 0505 RCP0505W82R0JS6.pdf
EA880 MOT TO-3 EA880.pdf
SG7812-883 SG SMD or Through Hole SG7812-883.pdf
ON 1SMA15CAT3G ONSEMI SMD or Through Hole ON 1SMA15CAT3G.pdf
RF5C103 RICON QFP RF5C103.pdf
SAF58MNA muRata CAN5 SAF58MNA.pdf