창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RN1406,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RN1401-06 | |
| 제품 교육 모듈 | General Purpose Discrete Items | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | S-Mini | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RN1406,LF(B RN1406,LF(T RN1406LFTR RN1406S,LF RN1406SLF RN1406SLFTR RN1406SLFTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RN1406,LF | |
| 관련 링크 | RN140, RN1406,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | RMCF2010FT20K5 | RES SMD 20.5K OHM 1% 3/4W 2010 | RMCF2010FT20K5.pdf | |
![]() | CREE-MC-E-K-WM | CREE-MC-E-K-WM CREE SMD or Through Hole | CREE-MC-E-K-WM.pdf | |
![]() | HY2111-K | HY2111-K HY SOT-23-6 | HY2111-K.pdf | |
![]() | 2SJ413. | 2SJ413. MOT TO3P | 2SJ413..pdf | |
![]() | DF40B-30DS-0.4V(51) | DF40B-30DS-0.4V(51) Hirose Connector | DF40B-30DS-0.4V(51).pdf | |
![]() | 22-28-0031 | 22-28-0031 MOLEX SMD or Through Hole | 22-28-0031.pdf | |
![]() | MAX9700BEBC+T | MAX9700BEBC+T MAXIM SOT-23 | MAX9700BEBC+T.pdf | |
![]() | DP8384VVBI | DP8384VVBI NS QFP48 | DP8384VVBI.pdf | |
![]() | 0603NPO220PF | 0603NPO220PF NTSQ SMD or Through Hole | 0603NPO220PF.pdf | |
![]() | K4S640432H-TL75 | K4S640432H-TL75 SAMSUGN TSOP | K4S640432H-TL75.pdf | |
![]() | O5924 | O5924 TRW CPU122 | O5924.pdf |