창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RN1402,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RN1401-06 | |
| 제품 교육 모듈 | General Purpose Discrete Items | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | S-Mini | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RN1402,LF(B RN1402,LF(T RN1402LFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RN1402,LF | |
| 관련 링크 | RN140, RN1402,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 06031A101MAT2A | 100pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06031A101MAT2A.pdf | |
![]() | RJ2010FKE07511RL | RJ2010FKE07511RL YAGEO Call | RJ2010FKE07511RL.pdf | |
![]() | JS1100059 | JS1100059 SAMSUNG BGA | JS1100059.pdf | |
![]() | L610J | L610J ST DIP18 | L610J.pdf | |
![]() | 88E6185-A2-LKJ | 88E6185-A2-LKJ MARVELL QFP | 88E6185-A2-LKJ.pdf | |
![]() | 207H-1AC-F-S-24VDC | 207H-1AC-F-S-24VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | 207H-1AC-F-S-24VDC.pdf | |
![]() | MS127-2R2NT | MS127-2R2NT Fenghua SMD | MS127-2R2NT.pdf | |
![]() | LT1210-5 | LT1210-5 LT SMD or Through Hole | LT1210-5.pdf | |
![]() | ESXE350ETD150MDB5D | ESXE350ETD150MDB5D Chemi-con NA | ESXE350ETD150MDB5D.pdf | |
![]() | ICL7613CPL | ICL7613CPL HARRIS DIP | ICL7613CPL.pdf | |
![]() | LDKF | LDKF LINEAR SMD or Through Hole | LDKF.pdf |