Toshiba Semiconductor and Storage RN1318(TE85L,F)

RN1318(TE85L,F)
제조업체 부품 번호
RN1318(TE85L,F)
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN1318(TE85L,F) 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 32.12352
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN1318(TE85L,F) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN1318(TE85L,F) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN1318(TE85L,F)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN1318(TE85L,F) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN1318(TE85L,F) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN1318(TE85L,F)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN13(14-18)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대100mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지USM
표준 포장 3,000
다른 이름RN1318(TE85LF)
RN1318(TE85LF)-ND
RN1318(TE85LF)TR
RN1318TE85LF
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN1318(TE85L,F)
관련 링크RN1318(TE, RN1318(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN1318(TE85L,F) 의 관련 제품
22µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C URS2A220MPD1TD.pdf
RES 14K OHM 1/2W 0.1% AXIAL CMF5514K000BEEA70.pdf
OMF-SH-206D1 OEG SMD or Through Hole OMF-SH-206D1.pdf
BFR166W SIEMENS SMD BFR166W.pdf
H1135IBZ HARRIS SOP-8 H1135IBZ.pdf
TLC8188C TI SSOP TLC8188C.pdf
CY7C67200-48BAXIT CYPRESS SMD or Through Hole CY7C67200-48BAXIT.pdf
MAX1982EUK NULL NULL MAX1982EUK.pdf
Z0607NA ST TO-92 Z0607NA.pdf
KM400/CD VIA BGA KM400/CD.pdf
XC95144XL-10TQ144L XILINX SMD or Through Hole XC95144XL-10TQ144L.pdf
BVZ-922TT4 BRIGHTVIEW ROHS BVZ-922TT4.pdf