창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RN1316,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RN13(14-18) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | USM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RN1316(TE85L,F) RN1316(TE85LF) RN1316(TE85LF)-ND RN1316(TE85LF)TR RN1316(TE85LF)TR-ND RN1316,LF(B RN1316,LF(T RN1316LFTR RN1316TE85LF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RN1316,LF | |
| 관련 링크 | RN131, RN1316,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
| F951D685MAAAQ2 | 6.8µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 1206 (3216 Metric) 1.5 Ohm 0.126" L x 0.067" W (3.20mm x 1.70mm) | F951D685MAAAQ2.pdf | ||
![]() | MCR10EZPF1151 | RES SMD 1.15K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF1151.pdf | |
![]() | PA2512FKF7T0R004E | RES SMD 0.004 OHM 1% 3W 2512 | PA2512FKF7T0R004E.pdf | |
![]() | STW60N10FI | STW60N10FI ST TO-3PF | STW60N10FI.pdf | |
![]() | WB321611B121QLT30 | WB321611B121QLT30 WALSIN SMD or Through Hole | WB321611B121QLT30.pdf | |
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![]() | RJB-10V182MJ4 | RJB-10V182MJ4 ELNA DIP | RJB-10V182MJ4.pdf | |
![]() | FDD5134 | FDD5134 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDD5134.pdf | |
![]() | NTP85N03G | NTP85N03G ON TO-220F | NTP85N03G.pdf | |
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