홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » RN1302SU,LF(D

Toshiba Semiconductor and Storage RN1302SU,LF(D

RN1302SU,LF(D
제조업체 부품 번호
RN1302SU,LF(D
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN1302SU,LF(D 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN1302SU,LF(D 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN1302SU,LF(D 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN1302SU,LF(D가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN1302SU,LF(D 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN1302SU,LF(D 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN1302SU,LF(D
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN1301-06
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황생산 종료
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대100mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지USM
표준 포장 3,000
다른 이름RN1302SULF(D
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN1302SU,LF(D
관련 링크RN1302S, RN1302SU,LF(D 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN1302SU,LF(D 의 관련 제품
4.7mH Unshielded Wirewound Inductor 140mA 5.6 Ohm Max Radial RLB1314-472KL.pdf
Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SIP G3M-203PL-4 DC12.pdf
RES SMD 133 OHM 0.1% 1/8W 0805 TNPW0805133RBEEN.pdf
DC-C109 ORIGINAL SMD or Through Hole DC-C109.pdf
U2550-B1 N/A DIP U2550-B1.pdf
RU4DS SANKEN DIP RU4DS.pdf
RD5D(S) NEC DO-4 RD5D(S).pdf
ZTXP2009ZTA (LF) Zetex SOT-89 ZTXP2009ZTA (LF).pdf
ESMG161ETD220MJ20S Chemi-con NA ESMG161ETD220MJ20S.pdf
LXT972ALC(A4) INTEL QFP LXT972ALC(A4).pdf
KSAOV210 ITT SMD or Through Hole KSAOV210.pdf