창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RN1115,LF(CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RN1114,5,6,7,8 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | SSM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RN1115(T5L,F,T) RN1115(T5LFT)TR RN1115(T5LFT)TR-ND RN1115,LF(CB RN1115T5LFT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RN1115,LF(CT | |
| 관련 링크 | RN1115,, RN1115,LF(CT 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | S10K140E2 | VARISTOR 220V 3.5KA DISC 10MM | S10K140E2.pdf | |
![]() | RT1206DRE073K9L | RES SMD 3.9K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE073K9L.pdf | |
![]() | RT1206BRD078K87L | RES SMD 8.87K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD078K87L.pdf | |
![]() | SY100EP2100UTI | SY100EP2100UTI SY TQFP | SY100EP2100UTI.pdf | |
![]() | CL10F223ZBNC | CL10F223ZBNC SAMSUNG MLCC-060322nF-2080 | CL10F223ZBNC.pdf | |
![]() | STT70GK24 | STT70GK24 SIRECTIFIER MODULE | STT70GK24.pdf | |
![]() | HS12P-2(71) | HS12P-2(71) HRS SMD or Through Hole | HS12P-2(71).pdf | |
![]() | 18FLZ-SM1-B-TB | 18FLZ-SM1-B-TB JST SMD or Through Hole | 18FLZ-SM1-B-TB.pdf | |
![]() | CXP973F064R-1 | CXP973F064R-1 SONY TQFP-100 | CXP973F064R-1.pdf | |
![]() | SFF25N40A | SFF25N40A FSC TO-3PF | SFF25N40A.pdf | |
![]() | VG043CMSTB100R | VG043CMSTB100R HOKURIKU 4X4-100R | VG043CMSTB100R.pdf | |
![]() | K7N803609B-PC25 | K7N803609B-PC25 SAMSUNG QFP | K7N803609B-PC25.pdf |