Toshiba Semiconductor and Storage RN1115,LF(CT
- 제조업체 부품 번호
- RN1115,LF(CT
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
RN1115,LF(CT 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 24.09264
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 RN1115,LF(CT 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN1115,LF(CT 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN1115,LF(CT가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- RN1115,LF(CT 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RN1115,LF(CT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RN1115,LF(CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RN1114,5,6,7,8 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | SSM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RN1115(T5L,F,T) RN1115(T5LFT)TR RN1115(T5LFT)TR-ND RN1115,LF(CB RN1115T5LFT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RN1115,LF(CT | |
| 관련 링크 | RN1115,, RN1115,LF(CT 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
RN1115,LF(CT 의 관련 제품
 | VJ0805D8R2BLBAJ | 8.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D8R2BLBAJ.pdf | |
 | BT-350.000MCC-T | 350MHz LVDS SO (SAW) Oscillator Surface Mount 2.5V 80mA Enable/Disable | BT-350.000MCC-T.pdf | |
 | IMC1812RQR22J | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 400 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812RQR22J.pdf | |
| S0402-56NH2E | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 1 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-56NH2E.pdf | |
| NANDB9R3NOAZPC5 | NANDB9R3NOAZPC5 ST BGA | NANDB9R3NOAZPC5.pdf | |
| 14479596 | 14479596 ORIGINAL CDIP14 | 14479596.pdf | |
| AD42428ARZ | AD42428ARZ AD SOP | AD42428ARZ.pdf | |
| RN2316(TE85L，F) | RN2316(TE85L，F) TOSHIBA SMD or Through Hole | RN2316(TE85L，F).pdf | |
| CCR78CG182JM | CCR78CG182JM AVX DIP | CCR78CG182JM.pdf | |
| BC848CWH6327 | BC848CWH6327 INF SMD or Through Hole | BC848CWH6327.pdf | |
| 74DCT244 | 74DCT244 TI SOP-20 | 74DCT244.pdf | |
| 334PF | 334PF K SMD or Through Hole | 334PF.pdf |