창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN1106MFV(TL3,T) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | General-Purpose Small-Signal Surface-Mount Devices | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 150mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-723 | |
공급 장치 패키지 | VESM | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | RN1106MFV(TL3T)TR RN1106MFVTL3T | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN1106MFV(TL3,T) | |
관련 링크 | RN1106MFV, RN1106MFV(TL3,T) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | KH25L1636DM2C-12G | KH25L1636DM2C-12G MXIC SOP-8 | KH25L1636DM2C-12G.pdf | |
![]() | 71055L | 71055L NEC PLCC | 71055L.pdf | |
![]() | cs5331ak3 | cs5331ak3 CS SOP | cs5331ak3.pdf | |
![]() | BA6674 | BA6674 ROHM SOP | BA6674.pdf | |
![]() | NFE61HT181C2A9 | NFE61HT181C2A9 muRata SMD or Through Hole | NFE61HT181C2A9.pdf | |
![]() | hy57v281620 | hy57v281620 HYNIX SMD or Through Hole | hy57v281620.pdf | |
![]() | GD74HC139N | GD74HC139N ORIGINAL SMD or Through Hole | GD74HC139N.pdf | |
![]() | idt7201l25j | idt7201l25j idt plcc32 | idt7201l25j.pdf | |
![]() | EC36-3R9K | EC36-3R9K RUIYI SMD or Through Hole | EC36-3R9K.pdf | |
![]() | CD52-4.7UH | CD52-4.7UH LY SMD | CD52-4.7UH.pdf | |
![]() | ESQT-110-02-L-D-440 | ESQT-110-02-L-D-440 SAMTEC SMD or Through Hole | ESQT-110-02-L-D-440.pdf |