창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RL875S-271K-RC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RL875S Series | |
| 3D 모델 | RL875S.stp | |
| PCN 설계/사양 | RL875S Series Epoxy Change Nov/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Magnetic products Oct/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Bourns Inc. | |
| 계열 | RL875S | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 270µH | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 정격 전류 | 450mA | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 860m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 40 @ 796kHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 4MHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 주파수 - 테스트 | 1kHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사 | |
| 크기/치수 | 0.307" Dia(7.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.295"(7.50mm) | |
| 표준 포장 | 200 | |
| 다른 이름 | RL875S271KRC | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RL875S-271K-RC | |
| 관련 링크 | RL875S-2, RL875S-271K-RC 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | MKT1822522064W | 2.2µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.709" L x 0.295" W (18.00mm x 7.50mm) | MKT1822522064W.pdf | |
![]() | IPS075N03LGAKMA1 | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11 | IPS075N03LGAKMA1.pdf | |
![]() | M36WOR6040T1ZAQ | M36WOR6040T1ZAQ NUMONYX BGA | M36WOR6040T1ZAQ.pdf | |
![]() | MC33342PG | MC33342PG ON DIP-8 | MC33342PG.pdf | |
![]() | CIS41J600NE | CIS41J600NE SAMSUNG SMD | CIS41J600NE.pdf | |
![]() | OR3T556BA352-DB | OR3T556BA352-DB LATTICE BGA | OR3T556BA352-DB.pdf | |
![]() | EM68B16CWSB-25G | EM68B16CWSB-25G ORIGINAL BGA84 | EM68B16CWSB-25G.pdf | |
![]() | S1216AATA-75TH-E | S1216AATA-75TH-E ORIGINAL TSOP | S1216AATA-75TH-E.pdf | |
![]() | 0117805BT3D | 0117805BT3D IBM SMD or Through Hole | 0117805BT3D.pdf | |
![]() | D2732A-35 | D2732A-35 INTEL CWDIP | D2732A-35.pdf | |
![]() | BFT93W.115 | BFT93W.115 NXP SMD or Through Hole | BFT93W.115.pdf | |
![]() | AD-5T | AD-5T OPTO 5P | AD-5T.pdf |