창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJSAE-5380-04 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RJSAE-5380-04 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RJSAE-5380-04 | |
| 관련 링크 | RJSAE-5, RJSAE-5380-04 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385551040JPI2T0 | 5.1µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.709" W (41.50mm x 18.00mm) | MKP385551040JPI2T0.pdf | |
![]() | 0MAX070.XPGLO | FUSE AUTO 70A 32VAC/VDC BLADE | 0MAX070.XPGLO.pdf | |
![]() | ASTMHTD-100.000MHZ-ZC-E-T3 | 100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-100.000MHZ-ZC-E-T3.pdf | |
| SIE802DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | SIE802DF-T1-E3.pdf | ||
![]() | SKM200GB12T4 | SKM200GB12T4 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKM200GB12T4.pdf | |
![]() | PVS1A103A02R00 | PVS1A103A02R00 MURATA SMD or Through Hole | PVS1A103A02R00.pdf | |
![]() | AD8324ACP-EVAL | AD8324ACP-EVAL AD QFN20 | AD8324ACP-EVAL.pdf | |
![]() | SOCN727000-27 | SOCN727000-27 ORIGINAL SMD or Through Hole | SOCN727000-27.pdf | |
![]() | ATB3232GC6T6LE | ATB3232GC6T6LE ORIGINAL SMD or Through Hole | ATB3232GC6T6LE.pdf | |
![]() | C43086AI | C43086AI ORIGINAL TO-92 | C43086AI.pdf | |
![]() | 53N301 | 53N301 NVIDIA BGA | 53N301.pdf |