창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJP6085DPN-00#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJP6085DPN | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 40A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 40A | |
전력 - 최대 | 178.5W | |
스위칭 에너지 | - | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | - | |
Td(온/오프) @ 25°C | - | |
테스트 조건 | - | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | RJP6085DPN00T2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJP6085DPN-00#T2 | |
관련 링크 | RJP6085DP, RJP6085DPN-00#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
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![]() | DSC1121AI1-156.2500T | 156.25MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121AI1-156.2500T.pdf | |
![]() | BAV74LT1G | DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3 | BAV74LT1G.pdf | |
![]() | CJT100120RJJ | RES CHAS MNT 120 OHM 5% 100W | CJT100120RJJ.pdf | |
![]() | Y112128K0000B0L | RES SMD 28KOHM 0.1% 0.16W J LEAD | Y112128K0000B0L.pdf | |
![]() | ESE157M050AH2AA | ESE157M050AH2AA ARCO DIP | ESE157M050AH2AA.pdf | |
![]() | SC146M | SC146M RCA SMD or Through Hole | SC146M.pdf | |
![]() | STV3208CV | STV3208CV STM QFP | STV3208CV.pdf | |
![]() | UTC3531L | UTC3531L UTC DIP20 | UTC3531L.pdf | |
![]() | 0805ZC471JAT2A | 0805ZC471JAT2A AVX SMD or Through Hole | 0805ZC471JAT2A.pdf | |
![]() | BYV70 | BYV70 NXP SOP | BYV70.pdf | |
![]() | KSA910-Y | KSA910-Y Samsung PNP | KSA910-Y.pdf |