Renesas Electronics America RJL5020DPK-00#T0

RJL5020DPK-00#T0
제조업체 부품 번호
RJL5020DPK-00#T0
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 38A TO3P
데이터 시트 다운로드
다운로드
RJL5020DPK-00#T0 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 9,798.00000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RJL5020DPK-00#T0 재고가 있습니다. 우리는 Renesas Electronics America 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Renesas Electronics America 전자 부품 전문. RJL5020DPK-00#T0 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RJL5020DPK-00#T0가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RJL5020DPK-00#T0 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RJL5020DPK-00#T0 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RJL5020DPK-00#T0
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RJL5020DPK-00#T0
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C38A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs135m옴 @ 19A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs140nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4750pF @ 25V
전력 - 최대200W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급 장치 패키지TO-3P
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RJL5020DPK-00#T0
관련 링크RJL5020DP, RJL5020DPK-00#T0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
RJL5020DPK-00#T0 의 관련 제품
F0603FA1000V032T AEM SMD or Through Hole F0603FA1000V032T.pdf
STK14C88-NF45ITR CYPRESS SMD or Through Hole STK14C88-NF45ITR.pdf
BGA2717115 NXP SMD BGA2717115.pdf
6200520000000 KYOCERA 17P 6200520000000.pdf
2SC3226 NOPB TOSHIBA SOT23 2SC3226 NOPB.pdf
ICS8535AGI-31LFT ICS TSSOP20 ICS8535AGI-31LFT.pdf
7101SY9AV2QE CK SMD or Through Hole 7101SY9AV2QE.pdf
56T652-500 N/A TSSOP-16 56T652-500.pdf
R5323N032B-TR-F RICOH SOT23-6 R5323N032B-TR-F.pdf
CZT5551TR************ CENTRAL SOT223 CZT5551TR************.pdf
AT908 POSEICO SMD or Through Hole AT908.pdf
MBRD650CT-T4 ON TO-252 MBRD650CT-T4.pdf