창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK60S7DPP-E0#T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJK60S7DPP-E0 | |
| 주요제품 | SuperJunction (SJ) MOSFETs | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 15/Aug/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 34.7W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | RJK60S7DPPE0T2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJK60S7DPP-E0#T2 | |
| 관련 링크 | RJK60S7DP, RJK60S7DPP-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | AF0805FR-0782KL | RES SMD 82K OHM 1% 1/8W 0805 | AF0805FR-0782KL.pdf | |
![]() | P520 | P520 ORIGINAL DIP-4 | P520.pdf | |
![]() | QS3215PA | QS3215PA TSSOP IDT | QS3215PA.pdf | |
![]() | VX16670 | VX16670 ACTEL QFP | VX16670.pdf | |
![]() | LCMXO256C4MN0C-3I | LCMXO256C4MN0C-3I LATTICE SMD or Through Hole | LCMXO256C4MN0C-3I.pdf | |
![]() | 76SB03ST | 76SB03ST Grayhill SMD or Through Hole | 76SB03ST.pdf | |
![]() | MG80C18612B | MG80C18612B INTEL PGA | MG80C18612B.pdf | |
![]() | IT8712F(CXS) | IT8712F(CXS) iTE QFP | IT8712F(CXS).pdf | |
![]() | SME25VB331M10X12LL | SME25VB331M10X12LL ORIGINAL SMD or Through Hole | SME25VB331M10X12LL.pdf | |
![]() | MM74HCT14MX_NL | MM74HCT14MX_NL FAIRCHILD NA | MM74HCT14MX_NL.pdf | |
![]() | OM8600/1523_3W120V | OM8600/1523_3W120V NXP SMD or Through Hole | OM8600/1523_3W120V.pdf |