창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK6013DPP-E0#T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJK6013DPP-E0#T2 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJK6013DPP-E0#T2 | |
| 관련 링크 | RJK6013DP, RJK6013DPP-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
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![]() | C941U332MVVDCAWL20 | 3300pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | C941U332MVVDCAWL20.pdf | |
![]() | ITA6V1U1 | TVS DIODE 5VWM 12VC 8SOIC | ITA6V1U1.pdf | |
![]() | RT0603FRE07475KL | RES SMD 475K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE07475KL.pdf | |
![]() | RMCP2010FT12K4 | RES SMD 12.4K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT12K4.pdf | |
![]() | 2455R91610935 | AUTO RESET THERMOSTAT | 2455R91610935.pdf | |
![]() | S24B-PUDSS-1(LF)(SN) | S24B-PUDSS-1(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | S24B-PUDSS-1(LF)(SN).pdf | |
![]() | DS18B20Z+T&R | DS18B20Z+T&R DALLAS SMD or Through Hole | DS18B20Z+T&R.pdf | |
![]() | SI4735-B20-GMR | SI4735-B20-GMR SILICON QFN | SI4735-B20-GMR.pdf | |
![]() | CX2016SB32000D0FZFA1 | CX2016SB32000D0FZFA1 KYOCERA SMD | CX2016SB32000D0FZFA1.pdf | |
![]() | SST-90-W57S-F11-GM200 | SST-90-W57S-F11-GM200 LUM SMD or Through Hole | SST-90-W57S-F11-GM200.pdf | |
![]() | GF4 TI4800-SE | GF4 TI4800-SE NVIDIA BGA | GF4 TI4800-SE.pdf |