창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK5012DPP-E0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK5012DPP-E0#T2 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 620m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK5012DPP-E0#T2 | |
관련 링크 | RJK5012DP, RJK5012DPP-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | MCR18ERTF1000 | RES SMD 100 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF1000.pdf | |
![]() | RT2010DKE0731K6L | RES SMD 31.6K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0731K6L.pdf | |
![]() | RG1005P-95R3-W-T5 | RES SMD 95.3OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005P-95R3-W-T5.pdf | |
![]() | CA0002300R0JB12 | RES 300 OHM 2W 5% AXIAL | CA0002300R0JB12.pdf | |
![]() | AD592ANZ | SENSOR TEMP ANLG CURR TO-92-3 | AD592ANZ.pdf | |
![]() | 333-2SURD/S530-A3TR1-2-R(R) | 333-2SURD/S530-A3TR1-2-R(R) Everlight SMD or Through Hole | 333-2SURD/S530-A3TR1-2-R(R).pdf | |
![]() | LTBDR | LTBDR LT MSOP-10 | LTBDR.pdf | |
![]() | 1SS327 | 1SS327 TOSHIBA SOD-723 | 1SS327.pdf | |
![]() | MB89152PFM-G-119-RVB | MB89152PFM-G-119-RVB FUJ QFP | MB89152PFM-G-119-RVB.pdf | |
![]() | FD22-E114G | FD22-E114G HALO SMD or Through Hole | FD22-E114G.pdf | |
![]() | SI9936DY-T1/VISHAY | SI9936DY-T1/VISHAY VISHAY 3.9mm-14 | SI9936DY-T1/VISHAY.pdf | |
![]() | RJ11-F-FCPL | RJ11-F-FCPL N/A SMD or Through Hole | RJ11-F-FCPL.pdf |