창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK4013DPE-00#J3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK4013DPE-00#J3 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 8.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
공급 장치 패키지 | 4-LDPAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK4013DPE-00#J3 | |
관련 링크 | RJK4013DP, RJK4013DPE-00#J3 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | VJ2220A392JBGAT4X | 3900pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A392JBGAT4X.pdf | |
![]() | 416F26013CAT | 26MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26013CAT.pdf | |
![]() | 74ALVC162334PA | 74ALVC162334PA IDT TSSOP | 74ALVC162334PA.pdf | |
![]() | TS5A3159DBVT | TS5A3159DBVT TI SOT23-6 | TS5A3159DBVT.pdf | |
![]() | MOC3052SSM | MOC3052SSM FAIRCHILD SOP6 | MOC3052SSM.pdf | |
![]() | FE16JN | FE16JN GIE TO-220 | FE16JN.pdf | |
![]() | 09-3413-00-03 | 09-3413-00-03 ORIGINAL SMD or Through Hole | 09-3413-00-03.pdf | |
![]() | SD833-04-TE12TR | SD833-04-TE12TR FUST SMA | SD833-04-TE12TR.pdf | |
![]() | MB89537A530 | MB89537A530 FUJITSU QFP | MB89537A530.pdf | |
![]() | MC251230R1FT | MC251230R1FT ORIGINAL SMD or Through Hole | MC251230R1FT.pdf | |
![]() | MCR01NZP5J000 | MCR01NZP5J000 ORIGINAL SMD or Through Hole | MCR01NZP5J000.pdf | |
![]() | PTVS43VS1UR,115 | PTVS43VS1UR,115 NXP SOD123 | PTVS43VS1UR,115.pdf |