창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK2511DPK-00#T0 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJK2511DPK-00#T0 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 34m옴 @ 32.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 200W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJK2511DPK-00#T0 | |
| 관련 링크 | RJK2511DP, RJK2511DPK-00#T0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | CRG0201F115K | RES SMD 115K OHM 1% 1/20W 0201 | CRG0201F115K.pdf | |
![]() | RG3216N-1180-B-T5 | RES SMD 118 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-1180-B-T5.pdf | |
![]() | WW12JT7R50 | RES 7.5 OHM 0.4W 5% AXIAL | WW12JT7R50.pdf | |
![]() | U8860-BL411 | U8860-BL411 ELAN/PBF SMD | U8860-BL411.pdf | |
![]() | 1623902-1 | 1623902-1 TYCO SMD or Through Hole | 1623902-1.pdf | |
![]() | MC35002AN | MC35002AN ST DIP-8 | MC35002AN.pdf | |
![]() | CTC4474X9025A2TE3 | CTC4474X9025A2TE3 VISHAY SMD | CTC4474X9025A2TE3.pdf | |
![]() | 2SC4505/CE.PK | 2SC4505/CE.PK NEC SMD or Through Hole | 2SC4505/CE.PK.pdf | |
![]() | BU4814F-TL | BU4814F-TL ROHM SOP4 | BU4814F-TL.pdf | |
![]() | JR1AF-DC12V | JR1AF-DC12V ORIGINAL DIP | JR1AF-DC12V.pdf | |
![]() | B57550G303F | B57550G303F EPCOS SMD or Through Hole | B57550G303F.pdf |