창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK2057DPA-00#J0 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJK2057DPA-00#J0 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJK2057DPA-00#J0 | |
| 관련 링크 | RJK2057DP, RJK2057DPA-00#J0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | MPLAD30KP110AE3 | TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD | MPLAD30KP110AE3.pdf | |
![]() | 402F20033CAT | 20MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20033CAT.pdf | |
![]() | MBB02070C2374FRP00 | RES 2.37M OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C2374FRP00.pdf | |
![]() | MB14A | MB14A PANJIT SMBDO-214AA | MB14A.pdf | |
![]() | PIC16CR54-RC/S0294 | PIC16CR54-RC/S0294 MIC SOP18W | PIC16CR54-RC/S0294.pdf | |
![]() | 102 3KV | 102 3KV ORIGINAL SMD or Through Hole | 102 3KV.pdf | |
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![]() | VG375-A3 | VG375-A3 ACT QFP208 | VG375-A3.pdf | |
![]() | ATS625LSGTN-T | ATS625LSGTN-T Allegro 4-pin SIP | ATS625LSGTN-T.pdf | |
![]() | SMX-NN | SMX-NN ORIGINAL QFN | SMX-NN.pdf | |
![]() | UPD3827G | UPD3827G NEC SOP | UPD3827G.pdf | |
![]() | UPD6600GS-542 | UPD6600GS-542 NEC SOP-20 | UPD6600GS-542.pdf |